Infineon Technologies - BSC011N03LSTATMA1

KEY Part #: K6418840

BSC011N03LSTATMA1 価格設定(USD) [79801個在庫]

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品番:
BSC011N03LSTATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIFFERENTIATED MOSFETS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC011N03LSTATMA1 製品の属性

品番 : BSC011N03LSTATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIFFERENTIATED MOSFETS
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 39A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 48nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6300pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Ta), 115W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN