メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIFFERENTIATED MOSFETS
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
39A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
48nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
6300pF @ 15V
消費電力(最大) :
3W (Ta), 115W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8 FL