NSVBC124EPDXV6T1G 価格設定（USD） [1133179個在庫]
- 1 pcs$0.03264
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- SS SOT563 DUAL RSTR XSTR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVBC124EPDXV6T1G electronic components. NSVBC124EPDXV6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVBC124EPDXV6T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVBC124EPDXV6T1G 製品の属性
品番 :
NSVBC124EPDXV6T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
22 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
22 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
60 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
339W
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-563
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PUMH1/DG/B3,115
- PUMH2/DG/B3,115
- RN2902(T5L,F,T)
- RN2702TE85LF
- BCR 48PN H6727
- RN2967FE(TE85L,F)
- BCR35PNE6327BTSA1
- RN1971FE(TE85L,F)
- UP04312G0L
- UP04311G0L
- NSTB1004DXV5T1G
- NSBC143TPDXV6T5G
- UP0121300L
- EMG2DXV5T1
- XP0121M00L
- XN0621100L
- XN0A31200L
- UMA4NT1G
- NSBC114YPDXV6T1
- NSBC113EDXV6T1
- NSBC114TDXV6T5
- NSBA124XDXV6T1
- NSBC143EPDXV6T1
- XP0411600L
- XP0121300L
- DDA124EU-7
- RN1908(T5L,F,T)
- RN2906FE(TE85L,F)
- QSH29TR
- IMB4AT110
- EMA11T2R
- BCR523UE6433HTMA1
- UMH6NTR
- UMB6NTR
- UMA10NTR
- BCR183UE6327HTSA1
- BCR198SH6327XTSA1
- BCR48PNH6327XTSA1
- BCR183SH6327XTSA1
- BCR183SH6433XTMA1