Diodes Incorporated - SBRT2M10LP-7

KEY Part #: K6435102

SBRT2M10LP-7 価格設定(USD) [548511個在庫]

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品番:
SBRT2M10LP-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
DIODE SBR 10V 2A 3DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 2A TrenchSBR 10Vrrm 2A Io 25A Ifsm
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBRT2M10LP-7 製品の属性

品番 : SBRT2M10LP-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : DIODE SBR 10V 2A 3DFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchSBR
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Super Barrier
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 10V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 400mV @ 2A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 10V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 3-UDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : X1-DFN1411-3
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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