FGA30T65SHD 価格設定（USD） [34886個在庫]
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- 品番:
- FGA30T65SHD
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 60A 238W TO-3PN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGA30T65SHD electronic components. FGA30T65SHD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGA30T65SHD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGA30T65SHD 製品の属性
品番 :
FGA30T65SHD
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
60A
電流-パルスコレクター（Icm） :
90A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.1V @ 15V, 30A
パワー-最大 :
238W
スイッチングエネルギー :
598µJ (on), 167µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
54.7nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
14.4ns/52.8ns
試験条件 :
400V, 30A, 6 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
31.8ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PN
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