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Microsemi Corporation - JAN1N6081

KEY Part #: K6426979

JAN1N6081 価格設定（USD） [1976個在庫]

  • 1 pcs$22.01640
  • 100 pcs$21.90686
品番:
JAN1N6081
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 5A SFST 150V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6081 electronic components. JAN1N6081 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6081, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6081 製品の属性

品番 : JAN1N6081
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/503
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 150V
電流-平均整流（Io） : 2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.5V @ 37.7A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : G, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : G, Axial
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 155°C

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