ON Semiconductor - ES2B

KEY Part #: K6454828

ES2B 価格設定(USD) [723793個在庫]

  • 1 pcs$0.05110
  • 3,000 pcs$0.04776
  • 6,000 pcs$0.04487
  • 15,000 pcs$0.04197
  • 30,000 pcs$0.03859

品番:
ES2B
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0a Rectifier UF Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor ES2B electronic components. ES2B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2B 製品の属性

品番 : ES2B
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 900mV @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 18pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAT54-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23.

  • BAS40-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23.

  • BAS19-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30EPH06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 30 Amp