品番 :
FF11MR12W1M1B11BOMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
100A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id :
5.55V @ 40mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
250nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
7950pF @ 800V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)