FFSH20120ADN-F155 価格設定（USD） [11543個在庫]
- 1 pcs$3.57028
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE SIC 1200V 10A TO247. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC SBD 20A
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FFSH20120ADN-F155 electronic components. FFSH20120ADN-F155 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FFSH20120ADN-F155, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FFSH20120ADN-F155 製品の属性
品番 :
FFSH20120ADN-F155
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE SIC 1200V 10A TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
10A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.75V @ 10A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
200µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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