メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
1200V
Vce(on)(最大)@ Vge、IC :
2.17V @ 15V, 300A (Typ)
電流-コレクターのカットオフ(最大) :
300µA
入力容量(Cies)@ Vce :
36nF @ 30V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
サプライヤーデバイスパッケージ :
Double INT-A-PAK