Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34DHE3/83

KEY Part #: K6447648

[1353個在庫]


    品番:
    EGL34DHE3/83
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL34DHE3/83 製品の属性

    品番 : EGL34DHE3/83
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 500mA
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 500mA
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 50ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : 7pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-213AA (Glass)
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-213AA (GL34)
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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