[996個在庫]
- 品番:
- 2SJ380(F)
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380(F) electronic components. 2SJ380(F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ380(F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SJ380(F) 製品の属性
品番 :
2SJ380(F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
210 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
35W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220NIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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