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- 品番:
- 1N5811TR
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation 1N5811TR electronic components. 1N5811TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5811TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5811TR 製品の属性
品番 :
1N5811TR
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
6A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
875mV @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
30ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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