IXFN170N30P 価格設定（USD） [2903個在庫]
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- 品番:
- IXFN170N30P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN170N30P electronic components. IXFN170N30P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN170N30P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN170N30P 製品の属性
品番 :
IXFN170N30P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
シリーズ :
Polar™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
300V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
138A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
258nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
20000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
890W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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