Toshiba Semiconductor and Storage - HN2S02JE(TE85L,F)

KEY Part #: K6470182

HN2S02JE(TE85L,F) 価格設定(USD) [1087457個在庫]

  • 1 pcs$0.03401

品番:
HN2S02JE(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV. Schottky Diodes & Rectifiers Small-Signal Schttky 0.1A 40V 2 Circuit
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HN2S02JE(TE85L,F) 製品の属性

品番 : HN2S02JE(TE85L,F)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 2 Independent
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 40V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 100mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 600mV @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 40V
動作温度-ジャンクション : 125°C (Max)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-553
サプライヤーデバイスパッケージ : ESV

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