ON Semiconductor - NVD5117PLT4G-VF01

KEY Part #: K6416494

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品番:
NVD5117PLT4G-VF01
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVD5117PLT4G-VF01 製品の属性

品番 : NVD5117PLT4G-VF01
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Ta), 61A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 4.1W (Ta), 118W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63