現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. AS4C16M16SA-6BINTR

Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16SA-6BINTR

KEY Part #: K940106

AS4C16M16SA-6BINTR 価格設定（USD） [28213個在庫]

  • 1 pcs$1.62420
  • 2,500 pcs$1.56173
品番:
AS4C16M16SA-6BINTR
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ロジック-パリティジェネレーターとチェッカー, データ収集-A / Dコンバーター（ADC）, インターフェース-シグナルターミネーター, ロジック-FIFOメモリ, クロック/タイミング-クロックジェネレーター、PLL、周波数シンセサイザー, ロジック-信号スイッチ、マルチプレクサ、デコーダ, 組み込み-マイクロコントローラー付きFPGA（フィールドプログラマブルゲートアレイ） and PMIC-ORコントローラ、理想ダイオードを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6BINTR electronic components. AS4C16M16SA-6BINTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M16SA-6BINTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16SA-6BINTR 製品の属性

品番 : AS4C16M16SA-6BINTR
メーカー : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM
メモリー容量 : 256Mb (16M x 16)
クロック周波数 : 166MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 12ns
アクセス時間 : 5ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 3V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 54-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 54-TFBGA (8x8)

最新ニュース

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
あなたも興味があるかもしれません
  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • 6116LA25SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116LA20SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • MD56V62160M-7TAZ0AX

    Rohm Semiconductor

    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP.

ホットパーツ