BAS16H,115 価格設定（USD） [1560510個在庫]
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- 75,000 pcs$0.01464
- 150,000 pcs$0.01301
- 品番:
- BAS16H,115
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching HI SPEED SWITCHING
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS16H,115 electronic components. BAS16H,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16H,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16H,115 製品の属性
品番 :
BAS16H,115
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, BAS16
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
215mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 80V
静電容量@ Vr、F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123F
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-123F
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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