現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. ダイオード-整流器-シングル
  5. 1N3889R

GeneSiC Semiconductor - 1N3889R

KEY Part #: K6445887

1N3889R 価格設定（USD） [10012個在庫]

  • 1 pcs$2.68386
  • 10 pcs$2.39520
  • 25 pcs$2.15573
  • 100 pcs$1.96411
  • 250 pcs$1.77248
  • 500 pcs$1.59043
  • 1,000 pcs$1.34133
品番:
1N3889R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4. Rectifiers 50V 12A REV Leads Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3889R electronic components. 1N3889R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3889R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3889R 製品の属性

品番 : 1N3889R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 12A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.4V @ 12A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C
あなたも興味があるかもしれません
  • VS-8EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

  • VS-6EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

  • VS-8EWF12STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-15EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

  • VS-8EWS08STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VT3080S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH

ホットパーツ