[2655個在庫]
- 品番:
- GP2M010A065H
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP2M010A065H electronic components. GP2M010A065H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M010A065H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP2M010A065H 製品の属性
品番 :
GP2M010A065H
メーカー :
Global Power Technologies Group
説明 :
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
820 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1670pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
198W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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