UH3CHE3_A/H 価格設定（USD） [347921個在庫]
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- 品番:
- UH3CHE3_A/H
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB. Rectifiers 3A, 150V, 25NS, PLANNAR FER RECT SMD
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH3CHE3_A/H electronic components. UH3CHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH3CHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UH3CHE3_A/H 製品の属性
品番 :
UH3CHE3_A/H
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.05V @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
40ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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