Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM11-100HE3/97

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品番:
BYM11-100HE3/97
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM11-100HE3/97 製品の属性

品番 : BYM11-100HE3/97
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
シリーズ : SUPERECTIFIER®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-213AB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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