JANTXV1N5552 価格設定（USD） [4958個在庫]
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- 品番:
- JANTXV1N5552
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 600V HRV
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5552 electronic components. JANTXV1N5552 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5552, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N5552 製品の属性
品番 :
JANTXV1N5552
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/420
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 9A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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