NVMFS5C423NLWFT3G 価格設定（USD） [13461個在庫]
- 5,000 pcs$0.21189
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS5C423NLWFT3G electronic components. NVMFS5C423NLWFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C423NLWFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS5C423NLWFT3G 製品の属性
品番 :
NVMFS5C423NLWFT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
31A (Ta), 150A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3100pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.7W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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