Microsemi Corporation - JAN1N6076

KEY Part #: K6449579

JAN1N6076 価格設定(USD) [4394個在庫]

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品番:
JAN1N6076
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 1.3A 50V ULTRAFAST RECT
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6076 製品の属性

品番 : JAN1N6076
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/503
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 1.3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.76V @ 18.8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : E, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : E-PAK
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 155°C

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