CRH01(TE85L,Q,M) 価格設定（USD） [651490個在庫]
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- 品番:
- CRH01(TE85L,Q,M)
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT. Rectifiers HED trrmax=35ns 1A VRRM=200V
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CRH01(TE85L,Q,M) electronic components. CRH01(TE85L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CRH01(TE85L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CRH01(TE85L,Q,M) 製品の属性
品番 :
CRH01(TE85L,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
980mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123F
サプライヤーデバイスパッケージ :
S-FLAT (1.6x3.5)
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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