BAQ33-GS08 価格設定（USD） [1848249個在庫]
- 1 pcs$0.02001
- 12,500 pcs$0.01553
- 品番:
- BAQ33-GS08
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAQ33-GS08 electronic components. BAQ33-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAQ33-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAQ33-GS08 製品の属性
品番 :
BAQ33-GS08
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
30V
電流-平均整流（Io） :
200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 100mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
1nA @ 15V
静電容量@ Vr、F :
3pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-80 MiniMELF
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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