GeneSiC Semiconductor - MURTA20060

KEY Part #: K6468935

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER. Rectifiers 600V 200A Si Super Fast Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA20060 electronic components. MURTA20060 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA20060, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MURTA20060

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 100A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 100A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 600V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Three Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower

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