Rohm Semiconductor - RD3L220SNTL1

KEY Part #: K6393162

RD3L220SNTL1 価格設定(USD) [138451個在庫]

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品番:
RD3L220SNTL1
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
NCH 60V 22A POWER MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3L220SNTL1 製品の属性

品番 : RD3L220SNTL1
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : NCH 60V 22A POWER MOSFET
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 26 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1500pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 20W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63