R6004CNDTL 価格設定（USD） [103087個在庫]
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- 品番:
- R6004CNDTL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 4A CPT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor R6004CNDTL electronic components. R6004CNDTL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6004CNDTL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R6004CNDTL 製品の属性
品番 :
R6004CNDTL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 600V 4A CPT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.8 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
280pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
CPT3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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