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- 品番:
- NVF2955PT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVF2955PT1G electronic components. NVF2955PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVF2955PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVF2955PT1G 製品の属性
品番 :
NVF2955PT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
185 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
492pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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