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ON Semiconductor - FQD8P10TM_F080

KEY Part #: K6407602

[917個在庫]

    品番:
    FQD8P10TM_F080
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQD8P10TM_F080 electronic components. FQD8P10TM_F080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD8P10TM_F080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD8P10TM_F080 製品の属性

    品番 : FQD8P10TM_F080
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.6A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 530 mOhm @ 3.3A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 470pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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