現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. ダイオード-整流器-シングル
  5. 1N6642US

Microsemi Corporation - 1N6642US

KEY Part #: K6443524

1N6642US 価格設定（USD） [9474個在庫]

  • 1 pcs$4.91821
  • 10 pcs$4.42507
  • 25 pcs$4.03152
  • 100 pcs$3.63824
  • 250 pcs$3.34326
  • 500 pcs$3.04827
品番:
1N6642US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6642US electronic components. 1N6642US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6642US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6642US 製品の属性

品番 : 1N6642US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 75V
電流-平均整流（Io） : 300mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 100mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 5ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 75V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, D
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5D
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

最新ニュース

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
あなたも興味があるかもしれません
  • UD0506T-TL-HX

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0504T-P-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • SCS212AJTLL

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK

  • SCS210AJHRTLL

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

  • VS-8EWF02S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • V10150S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB.

ホットパーツ