NXP USA Inc. - PHU11NQ10T,127

KEY Part #: K6400210

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    品番:
    PHU11NQ10T,127
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHU11NQ10T,127 製品の属性

    品番 : PHU11NQ10T,127
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10.9A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14.7nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 360pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 57.7W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
    パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA