IXYS - IXFH20N100P

KEY Part #: K6395089

IXFH20N100P 価格設定(USD) [11263個在庫]

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品番:
IXFH20N100P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH20N100P 製品の属性

品番 : IXFH20N100P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
シリーズ : HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 6.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 660W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース : TO-247-3