Vishay Semiconductor Diodes Division - GI758-E3/54

KEY Part #: K6447460

GI758-E3/54 価格設定(USD) [235208個在庫]

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品番:
GI758-E3/54
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 800 Volt 400 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GI758-E3/54 製品の属性

品番 : GI758-E3/54
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 800V 6A P600
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 6A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 950mV @ 6A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 2.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 150pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : P600, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : P600
動作温度-ジャンクション : -50°C ~ 150°C

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