RGF1M-E3/67A 価格設定（USD） [550125個在庫]
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- 品番:
- RGF1M-E3/67A
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1M-E3/67A electronic components. RGF1M-E3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1M-E3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGF1M-E3/67A 製品の属性
品番 :
RGF1M-E3/67A
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
シリーズ :
SUPERECTIFIER®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
500ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214BA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214BA (GF1)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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