Infineon Technologies - DF75R12W1H4FB11BOMA2

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DF75R12W1H4FB11BOMA2 価格設定(USD) [1273個在庫]

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品番:
DF75R12W1H4FB11BOMA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF75R12W1H4FB11BOMA2 製品の属性

品番 : DF75R12W1H4FB11BOMA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
シリーズ : EasyPACK™ 1B
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 25A
パワー-最大 : 20mW
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.65V @ 15V, 25A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 2nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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