HGT1S10N120BNST 価格設定（USD） [51869個在庫]
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- 品番:
- HGT1S10N120BNST
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGT1S10N120BNST electronic components. HGT1S10N120BNST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S10N120BNST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGT1S10N120BNST 製品の属性
品番 :
HGT1S10N120BNST
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
35A
電流-パルスコレクター（Icm） :
80A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大 :
298W
スイッチングエネルギー :
320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
100nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
23ns/165ns
試験条件 :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
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