メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
31A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
18V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
104 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id :
5.6V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
60nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
785pF @ 800V
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247N