Vishay Semiconductor Diodes Division - FES8DT/45

KEY Part #: K6450802

[275個在庫]


    品番:
    FES8DT/45
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FES8DT/45 electronic components. FES8DT/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FES8DT/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FES8DT/45 製品の属性

    品番 : FES8DT/45
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 8A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 950mV @ 8A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 35ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-220-2
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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