ON Semiconductor - FGH80N60FDTU

KEY Part #: K6422925

FGH80N60FDTU 価格設定(USD) [21697個在庫]

  • 1 pcs$1.89942
  • 10 pcs$1.70683
  • 100 pcs$1.39861
  • 500 pcs$1.19062
  • 1,000 pcs$0.95264

品番:
FGH80N60FDTU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 600V 80A 290W TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FGH80N60FDTU electronic components. FGH80N60FDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGH80N60FDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGH80N60FDTU 製品の属性

品番 : FGH80N60FDTU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 600V 80A 290W TO247
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 80A
電流-パルスコレクター(Icm) : 160A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.4V @ 15V, 40A
パワー-最大 : 290W
スイッチングエネルギー : 1mJ (on), 520µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 120nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 21ns/126ns
試験条件 : 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 36ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247

あなたも興味があるかもしれません