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- 品番:
- HGT1S20N36G3VL
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGT1S20N36G3VL electronic components. HGT1S20N36G3VL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S20N36G3VL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGT1S20N36G3VL 製品の属性
品番 :
HGT1S20N36G3VL
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
395V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
37.7A
電流-パルスコレクター（Icm） :
-
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 5V, 20A
パワー-最大 :
150W
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Logic
ゲートチャージ :
28.7nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
-/15µs
試験条件 :
300V, 10A, 25 Ohm, 5V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK (TO-262)
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