STMicroelectronics - STP16N60M2

KEY Part #: K6392617

STP16N60M2 価格設定(USD) [32472個在庫]

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品番:
STP16N60M2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
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発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP16N60M2 製品の属性

品番 : STP16N60M2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
シリーズ : MDmesh™ M2
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 320 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 700pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 110W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3