Taiwan Semiconductor Corporation - US1K R3G

KEY Part #: K6445393

US1K R3G 価格設定(USD) [1132631個在庫]

  • 1 pcs$0.03266

品番:
US1K R3G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 1A,800V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation US1K R3G electronic components. US1K R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1K R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1K R3G 製品の属性

品番 : US1K R3G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 10pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.

  • VS-80EPF06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC.

  • VS-60CPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC.

  • VS-30CPF04PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC.