Microsemi Corporation - APT100GT120JRDQ4

KEY Part #: K6532848

APT100GT120JRDQ4 価格設定(USD) [1780個在庫]

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品番:
APT100GT120JRDQ4
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT120JRDQ4 製品の属性

品番 : APT100GT120JRDQ4
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 1200V 123A 570W SOT227
シリーズ : Thunderbolt IGBT®
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 123A
パワー-最大 : 570W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.7V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 200µA
入力容量(Cies)@ Vce : 7.85nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : ISOTOP
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®

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