CMS10I30A(TE12L,QM 価格設定（USD） [475089個在庫]
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- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 0.36V VFM 30A IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I30A(TE12L,QM electronic components. CMS10I30A(TE12L,QM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMS10I30A(TE12L,QM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CMS10I30A(TE12L,QM 製品の属性
品番 :
CMS10I30A(TE12L,QM
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
30V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
360mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 30V
静電容量@ Vr、F :
82pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-128
サプライヤーデバイスパッケージ :
M-FLAT (2.4x3.8)
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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