Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB150TH120N

KEY Part #: K6533227

VS-GB150TH120N 価格設定(USD) [205個在庫]

  • 1 pcs$225.27883
  • 12 pcs$178.28846

品番:
VS-GB150TH120N
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB150TH120N electronic components. VS-GB150TH120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB150TH120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB150TH120N 製品の属性

品番 : VS-GB150TH120N
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 300A
パワー-最大 : 1008W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.35V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 11nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Double INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤーデバイスパッケージ : Double INT-A-PAK

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.