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- 品番:
- BUK951R6-30E,127
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. BUK951R6-30E,127 electronic components. BUK951R6-30E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK951R6-30E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BUK951R6-30E,127 製品の属性
品番 :
BUK951R6-30E,127
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
113nC @ 5V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
16150pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
349W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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