SSM6J503NU,LF 価格設定（USD） [745784個在庫]
- 1 pcs$0.04960
- 品番:
- SSM6J503NU,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF electronic components. SSM6J503NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J503NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6J503NU,LF 製品の属性
品番 :
SSM6J503NU,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
シリーズ :
U-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
840pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFNB (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AON4705L
- IPP084N06L3GHKSA1
- IPL60R255P6AUMA1
- GP1M007A065CG
- RJK2508DPK-00#T0
- SUP75N03-04-E3
- IXFX38N80Q2
- AOT12N65
- 2N7002E
- VN2410LZL1G
- IPB16CN10N G
- IRF7805QTRPBF
- NTD4857NT4G
- SI7485DP-T1-E3
- NTD4302
- NTB75N06L
- HUF75343P3
- IXFH40N50Q
- FCA16N60
- NTB13N10T4G
- NTB30N06LT4
- SPA11N60C3IN
- IRFSL59N10D
- IRFBC30AS
- IRFSL4127PBF
- IPB160N08S403ATMA1
- BSC093N15NS5ATMA1
- IPP100N08S207AKSA1
- AUIRF4104
- STP80NF55-08
- TK18E10K3,S1X(S
- SIHP7N60E-E3
- SIR640ADP-T1-GE3
- BSC009NE2LS5IATMA1
- PSMN8R0-80YLX
- IRF7807TRPBF
- BSC060P03NS3EGATMA1
- RSD050N10TL
- SI1078X-T1-GE3
- SSM3J325F,LF