Vishay Semiconductor Diodes Division - RS1D-E3/61T

KEY Part #: K6450743

RS1D-E3/61T 価格設定(USD) [1001729個在庫]

  • 1 pcs$0.03692
  • 1,800 pcs$0.03200
  • 3,600 pcs$0.02782
  • 5,400 pcs$0.02504
  • 12,600 pcs$0.02226
  • 45,000 pcs$0.02087
  • 90,000 pcs$0.01855

品番:
RS1D-E3/61T
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200V 150ns
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS1D-E3/61T electronic components. RS1D-E3/61T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1D-E3/61T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1D-E3/61T 製品の属性

品番 : RS1D-E3/61T
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 10pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAS20LT1

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • MA3XD1500L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI3.

  • MMBD914

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • MA3X15800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 200V 100MA MINI3.

  • MBR1645/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AB.

  • MBR10H100/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC.